Теория Косселя-Странского

Теория Косселя-Странского описывает рост кристалла за счет электростатических взаимодействий на поверхности соответствующего кристалла . Основная идея теории состоит в том, что ионы накапливаются на поверхности кристалла именно там, где можно ожидать наибольшего увеличения энергии. Теория названа в честь физиков Вальтера Косселя и Ивана Странски .

Энергичный учет роста кристаллов

Представьте себе одномерную цепочку ионов с попеременно разными электрическими зарядами . К этой цепочке присоединен еще один ион. Тогда кулоновские взаимодействия для вновь присоединенной частицы увеличились бы.

${\ displaystyle E _ {\ mathrm {Coulomb}} ^ {1D} = {\ frac {e ^ {2}} {r}} \ left ({\ frac {1} {1}} - {\ frac {1} {2}} + {\ frac {1} {3}} - {\ frac {1} {4}} + \ ldots \ right) = {\ frac {e ^ {2}} {r}} \ ln { 2}}$

сдаться.

Эту процедуру можно продолжить для второго и третьего измерений соответственно. Заявление о росте кристалла может быть сделано на основании полученного количества энергии.

Индивидуальные доказательства

1. ↑ Питер Р. Сам: Плавление, затвердевание, границы раздела фаз. Введение в физику и технику жидких и твердых металлов. Vieweg, Брауншвейг, 1999.